目前MOS工藝主（zhǔ）要分為三類：Trench MOSFET / High-Performance-Advanced Trench MOSFET / Super Junction MOSFET

1 Trench MOSFET： 溝槽工（gōng）藝，具有導通電阻小（xiǎo），寄（jì）生電容小，開關速度快等（děng）優點。

2 High-Performance-Advanced Trench MOSFET： SGT工藝（yì），是（shì）屏蔽溝槽工藝，屏蔽深溝槽工藝，這個是基（jī）於傳統溝槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一種改（gǎi）進（jìn）型的（de）溝槽（cáo）式功率（lǜ） MOSFET。相比於傳統 U-MOSFET 功率器件，它的開關速度更快（kuài），開關損耗更低，具有更好的器（qì）件性能。

3 Super-Junction MOSFET：超結MOSFET，具有更低的通態阻（zǔ）抗，更低的傳導損耗，更低的開啟（qǐ）電壓，更快（kuài）的開關速度，更低的柵極電荷（hé）Qg等。它的缺點，在開關電源係統應用會出現EMI可能（néng）超標；柵極震蕩；抗浪湧及（jí）耐壓能力差（chà）；漏源極電壓尖峰比較大等等。