MOS管無論是在IC設計裏，還是板級電路應用上，都十分廣泛。尤其在大功率半導體領域（yù），由於其具有輸入阻抗高、驅動功率低、開關速度快、無二次擊穿（chuān）、安全（quán）工作區寬、熱（rè）穩定性好（hǎo）等優點，各種結構的MOSFET發揮著不可替代..
2021-07-29QC快充（chōng）曆程高通的QC快充協議從（cóng）麵世到現在已經從1.0發展到4.0+了（le）。QC4.0：提升（shēng）功率至28W，加入USBPD支持。取消了12V電壓檔，5V最大可輸出5.6A，9V最大可輸出3A，電（diàn）壓檔細分以20mV為一..
2021-07-27台灣虹揚持續推出ESD、ESDArray新品!封裝包（bāo）含SOD-323/SOD-523/DFN1006/DFN0603/DFN2510/DFN1610-6L，詳細規格資訊請見（jiàn）附檔
2021-07-26MOSFET特性的溫度依賴性MOS的閾值電壓VT隨（suí）溫度降低。另一方麵，遷移率μn隨溫度降低，決定Ron的所有主要因素中，Ron隨著溫（wēn）度升高。例如μn(125℃)大約（yuē）是μn(25℃)的0.5倍，因此Ron會翻倍。..
2021-07-17MOSFET的開關損耗一個功率MOSFET可以（yǐ）實現（xiàn）的最（zuì）大開關頻率依賴（lài）於開關（guān）損耗。每個脈衝周期的能量損耗就像其他器件一樣是可以估算的，可（kě）通過在開通和（hé）關斷過程中對V(t)和i(t)的乘（chéng）積進行積（jī）分計算。在開通期間，可..
2021-07-16MOSFET的基（jī）本工作原理對MOSFET(金屬氧化物半導（dǎo）體場效應（yīng）晶體管）的基本結構（gòu），要理解MOSFET的功能，或許要首先研究一下半導體表麵。由於缺乏相（xiàng）鄰的原子，某種半（bàn）導體（tǐ）的表麵總是其理（lǐ）想晶格的一種被（bèi）擾亂的形態。..
2021-07-16肖特基二（èr）極管的命名： 肖特基二極（jí）管是以其發明人（rén）肖特（tè）基博士（Schottky）命名的， 完整的叫法是：肖特基整流（liú）二極管（SchottkyRecTIfierDiode縮（suō）寫成SR）， 也有人叫做：肖（xiāo）特基勢壘二極..
2021-07-12中芯國際表示（shì），目前集成電路芯片製造供不應求。公司2021年一季度整體（tǐ）產能（néng）利用率達到98.7%。根據公司（sī）今年的CAPEX支出計劃，擬擴建1萬片12英寸和4.5萬片8英寸晶圓的產能，以滿足更多的客戶需求。中（zhōng）芯國際（jì）指..
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