MOS的閾值電壓VT隨（suí）溫度（dù）降低。另一方麵，遷（qiān）移率μn隨溫度降低，決定Ron的（de）所有主要因（yīn）素中，Ron隨（suí）著溫（wēn）度升高（gāo）。例如μn(125℃)大約是μn(25℃)的0.5倍，因此Ron會翻倍。
轉移特（tè）性，在低Vg時，由於Vt的主要影響因素（sù）降（jiàng）低，所以飽和（hé）電流IDsat隨T增（zēng）加。在（zài）高Vg時，由於主要的遷（qiān）移率（lǜ）降低，所（suǒ）以（yǐ）IDsat降低。交點表示為溫度補償（cháng）點TCP。
當Vc=常數時，溫度（dù）係數βT可表示為：
通（tōng）常，功率MOSFET設計並不是用於工作在夾斷區域，也稱為線性區域，如果這麽設計，則TCP下方的工作性能（néng）可能導致熱不穩定。在較小（xiǎo）的柵極電壓下，由（yóu）於閾值電壓的（de）溫度依賴性，漏（lòu）極（jí）電流隨溫度而增加。
如（rú）果（guǒ）器（qì）件在該區域內工作，則將產生熱點並發生熱失控（kòng），在較大（dà）的柵極電（diàn）壓下，因為載流子遷移率（lǜ）在高溫（wēn）下降低，所以漏極電流隨著溫度的升高而降低。溝道寬度越大，不穩定區域越（yuè）明顯。
當（dāng）將脈衝功率保持在相同的值（Spi02）時，功率MOSFET 器件在不同電壓偏置下的溫度瞬態變化。器件是穩定的還是會受到破壞，完全取決於偏置條件，即漏極電（diàn）壓、漏極（jí）電流和脈衝持續時間，而不僅僅取決於平（píng）
均功率。例如，實現6A且VD=15V的90W脈衝電源應用器件是穩定的，但在Vp=30V且Ip=3A時，工作點低於TCP,器（qì）件會受到破壞性的熱失控。使用電（diàn）流溫度係數βr=ΔIp/ΔT,可以（yǐ）區分操作點。根（gēn）據偏差（chà），使器件保持（chí）穩
定的熱點增長（zhǎng）。在現代溝槽（cáo）MOSFET中，單元密度較高並且（qiě）溝道寬度W較大，線（xiàn）性電路（lù）模式的安全工作區域會減小［Cha16,即使在開啟或關閉期間相對較短的電流飽和持續時間也可能（néng）導致（zhì）器件失效。
