6月24日，上交所正式受（shòu）理龍騰（téng）半導（dǎo）體股份有限公司（簡稱“龍騰股份（fèn）”）的科創板IPO申請。龍騰股份（fèn）為半導體行業（yè）中的設計型企業，主營業務為以功率（lǜ）MOSFET為主的功率器件產品的研發、設計及銷售，並為客戶提供係統解決..
2021-08-11MOS管無（wú）論是在IC設計裏，還（hái）是（shì）板級電路應（yīng）用上，都十分廣泛。尤其在大功率半導體領域，由於其具有輸（shū）入阻抗高、驅動（dòng）功率低、開關速度快（kuài）、無二（èr）次擊穿、安全工作區寬、熱穩定性好等優點，各種結構（gòu）的（de）MOSFET發揮著不可替代..
2021-07-29QC快充（chōng）曆程高通的QC快（kuài）充協議從麵世到現在已經從1.0發展到4.0+了。QC4.0：提升功率至28W，加入USBPD支持。取（qǔ）消了12V電壓檔，5V最大可輸出5.6A，9V最大可輸（shū）出（chū）3A，電（diàn）壓檔細分以20mV為一（yī）..
2021-07-27台灣虹揚持續推出ESD、ESDArray新品!封裝（zhuāng）包含SOD-323/SOD-523/DFN1006/DFN0603/DFN2510/DFN1610-6L，詳細規格資（zī）訊請（qǐng）見附檔
2021-07-26MOSFET特性的溫度依賴性（xìng）MOS的閾值（zhí）電壓VT隨（suí）溫（wēn）度降低。另一方麵，遷移（yí）率（lǜ）μn隨溫度降低，決定（dìng）Ron的所有主要（yào）因素中，Ron隨著溫度升（shēng）高（gāo）。例如μn(125℃)大約是μn(25℃)的0.5倍，因此Ron會翻倍。..
2021-07-17MOSFET的開關損耗一個功率MOSFET可以實現的（de）最（zuì）大開關頻率依賴於開關損耗。每個脈衝周期的能（néng）量損（sǔn）耗就像其（qí）他器（qì）件一樣是可以估算的，可通過在開通和關斷過程中對V(t)和i(t)的乘積進行積分計算。在開通期間，可..
2021-07-16MOSFET的基本工作原理對MOSFET(金屬氧化物（wù）半導（dǎo）體場效（xiào）應晶體管）的基本結構，要理解MOSFET的功能，或許要首先研究一下（xià）半（bàn）導體表麵。由於缺乏相鄰的原子，某種半導（dǎo）體的表麵總是其（qí）理想晶格的一種被擾亂的形態。..
2021-07-16肖特（tè）基二極管（guǎn）的命名： 肖特基二極管是以其發明人（rén）肖特基博士（Schottky）命名的， 完整的叫法是：肖特基整流（liú）二極管（SchottkyRecTIfierDiode縮寫成SR）， 也有人叫做：肖特基勢壘二極..
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