SemiHow MOSFET性能特點及技術優勢

核心性（xìng）能優勢

• 超（chāo）結技術提升效率：采用多層外延工藝，相比（bǐ）傳統溝（gōu）槽工藝，EMI（電（diàn）磁幹擾（rǎo））控製更優，抗衝擊能力強（qiáng），適用於高壓高頻場景。

• ESD保護與穩定性：70mΩ以上型號內置ESD保護二極管，實測ESD耐受能力可達2400V，顯著提升係統（tǒng）抗浪湧和靜電（diàn）可靠性。

• 高頻開關性能：電（diàn）子輻照產品反向恢複時間（jiān）（trr）控製（zhì）在200ns以內，開關（guān）損耗低，適合高頻電源拓撲（如PFC、LLC諧振電路）。

產品應用與市場驗證

• 主流客戶覆蓋：已（yǐ）批量供貨三（sān）星、華為、LG、飛利浦（pǔ）等國（guó）際品牌（pái），應用場景（jǐng）包括充電器、電源適配器、光伏逆（nì）變器等。

  
  

技（jì）術創新與（yǔ）封裝優化

• 無晶圓模式靈活性：專注（zhù）設計與研發，依托代工資源實現快速迭代，超結MOSFET覆蓋600V~900V電壓範（fàn）圍，產能達50000片（piàn）/月（yuè）。

• 適配國際標準：封裝（zhuāng）設計（jì）遵循IPC標（biāo）準（zhǔn），兼容（róng）國際市場（chǎng）需求，可直接對接全球供應鏈體係。

對比競品的差異化亮點

適用場景推薦

1. 消費電（diàn）子電源：如三星、華為快充充電器，需（xū）兼（jiān）顧效率與EMI合規（guī）。

2. 工業驅動：電機控製器、焊接設備中（zhōng）的高頻逆變電路。

3. 新能源（yuán）領域：光伏逆變器、儲能係統的DC/DC轉換模塊。

SemiHow通過（guò）聚焦超結技術和可靠性（xìng）設計，其MOSFET在中高壓功率（lǜ）轉換場景（jǐng）中具備（bèi）較強競（jìng）爭力，尤其適合（hé）對成本敏感且要求（qiú）高效穩定的量產型項目。