龍騰半導體自主開發的超高壓950V超結SJ MOS平（píng）台（tái），采用先進的多次外延結構設計，在保證高耐壓的（de）基礎上（shàng），有效減少器件內部的寄生電容，進一步優化開關過程中的能量損失。與傳統的PN結結（jié）構相比，這種新型結構能夠有（yǒu）效減小漏電流，提高器件的熱穩定性和抗電場能力，確保在高壓條（tiáo）件下的可靠性。滿足LED照明電源、適配器、模塊電源、植物照明電源等高壓中功率領域的需求（qiú）。
龍騰（téng）950V超結MOS采用多次外延工藝，通過精準堆疊外延層並優化摻雜分布，實現電荷平衡與電（diàn）場均（jun1）勻性的大幅提升，賦予產（chǎn）品三（sān）大（dà）核（hé）心優勢：
1.極低導（dǎo）通損耗（hào）: Rsp（比導通電阻）較國際競品降低22.3%，顯著減少導通損耗，可在植物照明電源（yuán）中實現更高能效。
2.超快動態性能: FOM(Qgd)優化14.5%，開關損耗（Eon/Eoff）分別降低18.5%和43.1%，助力高頻電源設計簡化。
3.卓越可靠性: Trr（反向恢複時間（jiān））縮短13.6%，減少開關噪聲，提（tí）升係統穩定性；同時，多次外延工藝增強（qiáng）了器件耐壓能力，支持950V高壓場景（jǐng）下的長期穩定運行。
龍騰SJ MOS 800V-950V 推薦型號
龍騰半導體自主開發的超高壓950V超結SJ MOS平台，采用先進的（de）多次外延結構設計，在保證高（gāo）耐壓的基礎上，有效減少器件內部的寄生電容，進（jìn）一步優化開關過程中的能量損失。與傳統的PN結（jié）結構相比，這種新型結構能夠有效減小漏電流，提高器件（jiàn）的熱穩定性（xìng）和抗電（diàn）場能力，確保在高壓條件下的可靠（kào）性。滿足LED照明電源、適配器、模塊電源、植物照明電（diàn）源等高壓中功率領域的需求。
龍（lóng）騰950V超結MOS采用多次外延（yán）工藝，通過精準堆疊外延（yán）層並優化摻雜分布，實現電荷平（píng）衡與電場均勻性的大幅提（tí）升，賦予產品三大核心優勢：
1.極低導通損（sǔn）耗: Rsp（比導通電阻）較國際競品降低22.3%，顯著（zhe）減（jiǎn）少導通損耗，可在植物（wù）照明電源中（zhōng）實現更高能效。
2.超快動態性能: FOM(Qgd)優化14.5%，開關損耗（Eon/Eoff）分（fèn）別降低18.5%和43.1%，助力（lì）高頻電源（yuán）設計簡化。
3.卓越可靠性: Trr（反向恢（huī）複時間）縮短13.6%，減少開關噪聲，提升係統穩定性（xìng）；同時，多（duō）次外延工藝增強了器件耐（nài）壓能力，支持950V高壓場景下（xià）的長期穩定運行。
龍騰SJ MOS 800V-950V 推薦型號
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