碳化矽二極管可以在更高(gāo)的(de)頻率(lǜ)下工(gōng)作,並且在相同的(de)頻率下具(jù)有更高(gāo)的效率。此外,碳化矽二極(jí)管也具有正的溫度係數,並且電阻隨著溫度的(de)升高而逐漸增大,這與矽FRD正好相反。這使得碳化矽二極管非常適合並聯(lián)連接,並提高了係統的安(ān)全性和可靠(kào)性。碳化矽二極管是(shì)一種集高壓、高速、低功耗和耐高溫於一體的理想器(qì)件。目前(qián),世界上(shàng)已成功開發出多種碳化矽器件。碳化矽SBD作為一種零恢複二極管,極大地改善(shàn)了高頻電源(yuán)電(diàn)路。碳化矽二極管獨特(tè)的高溫特性使其在高溫環境下的電源應用中具有潛(qián)在優勢。
碳化矽二極管更像是(shì)理想的開關,而(ér)不是PN結器件。肖特基二極管的兩(liǎng)個(gè)最重要的性能指標是它們(men)的低(dī)反向恢複電荷(Qrr)和(hé)恢複軟化係數。碳化(huà)矽二(èr)極管(guǎn)也優於(yú)PN結器件,因(yīn)為(wéi)它們具有低正向導通電壓(yā)和低導通損耗。碳化矽二極管也有兩個缺點。首先,反向耐受電壓VR相對較低,通常隻有大約100伏;其次,反向漏電流IR相(xiàng)對較大。
碳化矽二極管的恢複(fù)時間短,溫度對開關行為影響不大。標準工作溫(wēn)度範圍(wéi)為-55℃-175℃,更加穩定,大大降低(dī)了對散熱器的(de)要求。碳化矽二極管的主要優點(diǎn)是開關速度(dù)極(jí)快,沒有反向恢複電流。與矽器件相比,它(tā)可以大大降(jiàng)低開關損耗,實(shí)現出色的能效。更快(kuài)的(de)開關速度也使製造商能夠減小電磁線圈和相關無源元件的尺寸,從而提高組裝效率,減輕係統重量並降低材料成本。
碳化矽二極管具有高導熱率,能有效提高功率密度。導熱係數越高,材料向環境傳熱的能力越強,器件的溫升越(yuè)小(xiǎo),越有利於提高功率器件的功率密度,因此更適(shì)合在高溫環境(jìng)下工作。碳(tàn)化矽二(èr)極管的高擊穿場強提高了耐壓並減小(xiǎo)了尺寸,高(gāo)電子擊穿場強提高了半導體功(gōng)率器件的擊(jī)穿電(diàn)壓。同時,由於電子擊穿場強的增加,在增加雜質(zhì)穿透密度的(de)情況下(xià),可以減小碳化矽二極管功率器件漂移區的寬帶,從而可以減小功率器件(jiàn)的尺寸。
上述所講解的就是
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