導語：綠星電子的（de）功率元件可（kě）在各式電源與電機（jī）驅動應用（yòng）中實現更高（gāo）的（de）效（xiào）率（lǜ），功率密度和成本效益。 DG-FET™和（hé）SuperTrench™產品（pǐn）組合涵蓋20V至200V規格，可同（tóng）時解決低（dī）開關頻率（lǜ）和高開關（guān）頻率（lǜ）問題。

DG-FET™介紹

現代（dài）科技（jì）對運算（suàn）功率的需求日益增高，雲端（duān）運（yùn）算、物聯網（wǎng）及社交媒體等主流趨勢，更是發揮了（le）推波助瀾的作用。能源消耗量因此大增，電源轉（zhuǎn）換鏈也因此需要更（gèng）高的能源效率。

與傳統溝槽式MOS比較:

顛覆傳統MOSFET技術的DG-FET™是（shì）利用額外的多（duō）晶矽閘來達成電荷（hé）平衡。藉由電荷平（píng）衡的方式，將致使原本MOSFET的空（kōng）乏區電 場由（yóu）一維電荷變（biàn）為（wéi）由二維的電荷分布所決定。

因此其崩潰電壓將較傳統的溝槽式MOSFET為高。

若（ruò）將（jiāng）DG-FET™與現今傳統的溝槽式MOSFET相比，為具有相同崩潰電壓之元件，但DG-FET™可以（yǐ）進一步降低磊晶層的阻值，因而可（kě）以獲得較低（dī）的導通阻抗.

另外，由於開關雜訊更低，因此采用DG-FET™技術也能有效大幅（fú）降低汲級（jí）電荷。

Silicongear DG-FET™與友商公司Trench關鍵參數MOSFET摘要

1 - MOSFET Gate 加（jiā）2.2nF 測試啟機狀態次級（jí）驅動電壓：

總結：綠星（xīng）MOSFET,DG-FET係列具有高速開關速度，業界優異的Ron-Crss表現。

由於具有緩衝效應，DG-FET係列可以抑（yì）製，比SuperTrench係列更有效（xiào）地切換噪音（yīn）和振鈴。RDS（on）導通（tōng）電阻（zǔ）比其他同類元件至少降（jiàng）低50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少50%。

DG-FET™和SuperTrench™產品組合涵蓋20V至200V規格，可同（tóng）時解（jiě）決低開關（guān）頻率和高開關頻率問題。