碳（tàn）化矽早在1842年就被（bèi）發覺了，但因其製取時的加工工藝（yì）難度係數（shù）大，而且（qiě）元器件（jiàn）的產出率低，造（zào）成了價錢較（jiào）高，這危害了它的運用。直至1955年，生長發育高質量碳化矽的方式出現推動了
碳化矽二極管原材料的發展趨勢，在航空（kōng）航天（tiān）、航空公司（sī）、雷達探測和核能發（fā）電開發設計的行業獲得（dé）運用。80年代（dài），產品化生產製造的SiC進到銷售市場，並運用於原油地（dì）暖的勘查（chá）、變頻空調（diào）的開發設（shè）計、平板電視機的（de）運用及其太陽（yáng）能發電轉換的行業（yè）。
碳化矽二極管的出現極大地改進了集成電路工藝的特性，考慮社會經濟和國防建設的（de）必須，現階段，英國（guó）、法國、德國（guó）、日本國等資本主義國家正爭相資金投入重金對碳化矽原材料和元器件開展科學研究。美國防部從二十世紀90年代就剛開始（shǐ）適用碳化矽電力電子器（qì）件的科學研究，在1991年就取得成功科學（xué）研究出了（le）阻隔工作電壓為400V的肖特基二（èr）極管。
碳化矽二極管於二十一世紀初變成第一（yī）例社會化的碳化矽電力工程電子元器件。英國Semisouth企業研發的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作中）早已用在（zài）英國皇家空軍多電飛機場。由碳化矽SBD組成的功率模塊（kuài）可在（zài）高（gāo）溫、髙壓、強輻射源等極端標準下應用。現階段反方向阻隔工作（zuò）電壓達到1200V的產品係列，其額定電壓可做到20A。碳（tàn）化矽SBD的產品研發早已做到髙壓元器件的水準，其阻隔工（gōng）作電壓超出10000V，大電流量元器件通態電流量達130A的水準。
碳化矽二極管的擊穿場強很高，電源開（kāi）關速率迅速，淨重很（hěn）輕，而且容積不大，它在3KV之上（shàng）的鎮流器主要用途更為具備優點。2001年Cree企業研發出（chū）19.5KV的櫥櫃台麵PiN二極管，同（tóng）一階段日本國的Sugawara調研室也科學研（yán）究出了12KV的櫥櫃台麵PiN二極（jí）管。2006年Cree企業報導了10KV、3.75V、50A的SiCPiN二極管，其10KV/20APiN二極管（guǎn）係列產品的達標率早已做到40%。
上述所講解的就是
碳化矽二極管的（de）行業發展趨勢，希望（wàng）看完能夠（gòu）對您有所幫助，如（rú）果（guǒ）您想要了解更多關於碳化矽二極管的相關信息的（de）話，歡迎在線谘詢客服或是撥打本公司服務熱線（網站右上角（jiǎo））進行谘詢，我（wǒ）們將竭誠為您提供優（yōu）質的（de）服務！
