與（yǔ）PN結器件相比，碳化矽二極管更像是一種理想的開關（guān）。肖特基二（èr）極（jí）管最重要的兩個性能指標是其低反向恢複（fù）電荷(Qrr)和恢複軟化係數。當二（èr）極管電壓（yā）變為反向偏（piān）置時，低Qrr大（dà）大縮短了關斷過程所需的時間，即反向恢複時間trr。碳化矽二極管trr小於0.01微秒。它便於在高頻範圍內使用。一些數據顯示，它的工作頻率可以達到1兆赫(一些報（bào）告也顯示，它可以達到（dào）100千兆赫)。高軟化係數將減少二極管關斷產生的電磁（cí）幹（gàn）擾噪聲（shēng），並減少換向操作幹擾。碳化矽（guī）二極管還具有（yǒu）優於PN結器件的優勢（shì），因為它們具有低正（zhèng）向導通電壓和低導通損耗。

　　碳化矽二極管（guǎn）是一種由貴金屬（shǔ）(金、銀、鋁、鉑等)製成的金屬半（bàn）導體器件。)A作為正電極，N型半（bàn）導體B作為負電極，並且使用在兩（liǎng）者的（de）接觸表麵上形成的阻擋層（céng）來具有整流特（tè）性。因為（wéi）在N型半導體中有大量的電子，而在（zài）貴金屬中（zhōng）隻有非常少量的自由電子，所以電子從高濃度的B擴散到低（dī）濃度的A。顯然，在金屬A中沒有空穴，因此沒有空穴從A到B的擴散運動。隨著電子繼（jì）續從B擴散到A，B表麵上的電子濃（nóng）度逐漸降低（dī），表麵的電中性被破壞（huài），從而形成電場方向為B A的勢（shì）壘。然而（ér），在該電場（chǎng）的作用下，A中的電子也將產（chǎn）生從A到B的（de）漂移運（yùn）動，從而削弱由擴散運動形成（chéng）的電場。當建立一定寬度的空（kōng）間電荷區時，電場引起的電子漂移運動和不同濃度引起的電子擴散運動達（dá）到相對平（píng）衡，從而形成肖特基勢壘。

　　典型（xíng）的碳化矽二極管的內部電路結構基於N型半導體，在其（qí）上形成摻雜有砷的N外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料製成，以形成阻擋層。二氧化矽(二氧化矽)用於消除邊緣區域的（de）電場並提高管的耐壓性。該N型（xíng）襯底具有非常小的導（dǎo）通電阻，並且其（qí）摻雜濃度比H層的摻雜（zá）濃度高100%。在襯底（dǐ）下麵形成一個氮陰極（jí）層（céng），以（yǐ）降低陰（yīn）極的接觸電阻。通過（guò）調整結（jié）構參數，在N型襯底和陽極金（jīn）屬之間形成肖特基勢壘（lěi）。當正向偏置電壓施加到肖特基勢壘的兩端（duān）時(陽極金屬連接到電源的陽極，並且N型襯底連（lián）接到電源的（de）陰極)，肖特基勢壘層變得更窄，並且其內部電阻變得（dé）更小。另（lìng）一方（fāng）麵，如果反向偏壓被施加到肖特基（jī）勢壘的兩端，肖特基勢壘層（céng）變寬，並且其內部電阻變大。

　　上述所講解的就（jiù）是（shì）碳化矽二極管的基本特征，希望看完能夠（gòu）對您有所（suǒ）幫助，如果您想要了（le）解更多關於碳化矽二極管的（de）相關信息（xī）的話，歡迎（yíng）在線谘詢客服或是撥打本（běn）公司（sī）服務熱（rè）線（網站右（yòu）上角）進行谘詢，我們將竭誠為（wéi）您提供優質的服務！