碳化矽二極管於1985年問世。吉田是在（zài）3C-碳化矽上做的。其肖特基勢壘高度通過電容測量為1.15 (0.15) eV，通過光學響（xiǎng）應測量為1.11 (0.03) eV。它的擊穿電壓隻有8伏。第一個6H-碳化（huà）矽肖特基二極管的（de）擊穿電壓約為200伏。Bhatnagar報道了（le）第一個高電壓400伏（fú）6H-SiC肖特基勢壘二極管，具有（yǒu）低導通狀態電壓降(1 V)和無反向恢複電流。隨著碳化矽單（dān）晶、外延質量和技術水平的不斷提高，越來越多性能優越的碳化矽二極管被報道。
1993年，報（bào）道了第一個擊穿電（diàn）壓超過（guò）1000伏的（de）碳化矽二極管。器件的肖特基接（jiē）觸金屬是鈀。它采用氮型（xíng）外（wài）延，摻雜濃度為110厘米，厚度為10微米。1995年前後出現了高質量的4H-碳化矽單（dān）晶。它比6H-碳化矽具有（yǒu）更高（gāo）的電子遷移（yí）率和更大的臨界擊穿電場，這使得人們更傾向於研究4H-碳化矽肖特基二極管。
1995年首次報道了鎳/4H-碳化矽（guī）二極管。外延摻雜濃度（dù）為11016厘米，厚度為10微米，擊穿電壓為1000伏，100安/厘米時正向壓降為1.06伏，室溫下比導通電（diàn）阻為210厘（lí）米。2005年，中村友紀等人（rén）使用鉬作為肖特基接觸，擊穿電壓為4.15千伏，比（bǐ）接觸電阻為9.07米厘米。肖特基二極管的勢壘高度也隨著退火（huǒ）溫度的增加而增加。在退火溫度為600時，勢壘高度（dù）為1.21 eV，而理想因子是穩定的，隨著退火溫度的升高變化不大。趙建（jiàn）輝利用氮型碳化矽外延和多級結終端擴展技術製作（zuò）了擊穿電壓高達10.8千伏的鎳/4H-碳化矽肖特基二極管。外延摻雜（zá）濃度為5.610cm，厚度為115m。肖特基二極管采用多級結終端（duān）擴展技術，保護肖特基結（jié）邊緣不被過（guò）早擊穿。
碳化矽二極管在導通過程中沒有（yǒu）額外的載流子注入和存儲，因此（cǐ）反向恢複（fù）電流小，關斷過程快，開關損耗小。傳統（tǒng）的矽肖特基二極管隻能用於120-200伏的（de）低（dī）壓場合，不適合在150以上工作，因為所（suǒ）有金屬與矽的功函數差不是很大，矽的肖特基勢壘低（dī），矽SBD的反向漏電流大，阻擋電壓低。然而，碳化矽SBD彌補了矽SBD的短缺。許多金屬，如鎳、金、鈀、鈦、鈷等。可以與肖（xiāo）特基勢壘高度超過（guò）1 eV的碳化矽形（xíng）成肖特基接觸。據報道，金/4H-碳化矽接觸的勢（shì）壘高（gāo）度可以達到1.73 eV，而鈦/4H-碳化矽接觸的勢壘高度相對較低，但最高也可以達到1.1 eV。6H-SiC和各種金屬觸點之（zhī）間的肖特（tè）基勢壘高度變化很大，最小值為0.5 eV，最大值為1.7 eV。因此，SBD已成為碳化矽電（diàn）力電子器件發展（zhǎn）的（de）第（dì）一個重點。它是（shì）一種集高電壓、高速度、低功耗和耐高溫於（yú）一體的理（lǐ）想器件。目前，世界上已相繼開發出多種成功程度很高的碳（tàn）化矽器件。
上述所講解的就是
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