碳化矽二極管是一種適（shì）用於功率半（bàn）導體的革命性材料，其物理屬性遠（yuǎn）遠優（yōu）於矽功率器件。重要（yào）特點包含榜樣性的電源（yuán）開關特性、沒（méi）有反向恢複（fù）電（diàn）流量、溫度基（jī）本上不容（róng）易危害電源開（kāi）關個人行為和規範操作溫（wēn）度範疇為-55℃至175℃。碳化矽肖特基二極管（SiCSBD）的器件選用了斷（duàn）勢壘（lěi）肖特基二極管構造（JBS），能夠合（hé）理減少反方向泄（xiè）露電流，具（jù）有（yǒu）更強的（de）耐（nài）髙壓工作能力。
碳化矽二（èr）極（jí）管是一種單極型器件（jiàn），因而對比於傳統式的矽快修複（fù）二（èr）極管（SiFRD），碳化矽二（èr）極管具備理想化（huà）的（de）反向恢複特點。在器件從正指（zhǐ）導通往反（fǎn）方向阻隔變換時（shí），基本上沒有反向恢複電，反向（xiàng）恢複時間低於20ns，乃至600V10A的碳化矽（guī）二極管的反向恢複時間在10ns之內（nèi）。因而碳化矽二極管能夠工（gōng）作中在高些的頻率（lǜ），在同樣頻率下具備高些的高效（xiào）率。另一個（gè）關鍵的特性是碳化矽二極管具備正的溫度（dù）係數，伴隨著溫度的升高電阻器也慢慢升高，這與矽FRD恰好反過來。這促使碳化矽二極管特別適合串聯好用，提升了係統軟件的安全係數和可信性。
碳化矽二極管是髙壓迅速與低輸出功（gōng）率耗損、耐熱緊密結合的（de）理想化器件。現階段國際性（xìng）上陸續研製水準較高的多類型的碳化矽器件。SICSBD做為零修複二極管，對高頻率輸出功率電源電路有非常大（dà）改（gǎi）進。碳化矽二極管與眾不同的高溫特點使其在高溫自然環境的輸出功（gōng）率運（yùn）用中具備潛（qián）在性優（yōu）點（diǎn）。碳化矽二極管因髙速trr而使開關損耗減少，加上VF的改進，在（zài）輸出功率二（èr）極（jí）管中能夠說成耗損最少的二極（jí）管。碳化矽二極管因VF減少，而完（wán）成更低通斷耗損。順向特點數據圖表（biǎo）的鮮紅色波型是第一代SiC-SBD，深藍色是第二代，可確定VF的減（jiǎn）少。
碳化矽二極管的（de）各類性能指標均（jun1）優於一般雙極二極管技術性。碳化矽二極管通斷與關閉情況的變換速率十分快，並（bìng）且沒有一般雙極二極管技術性電源開關時的反（fǎn）向恢複電流（liú）量。在（zài）清除（chú）反向恢複電流量效（xiào）用（yòng）後，碳化（huà）矽二極管（guǎn）的耗能（néng）減少70%，可以在寬溫度範圍內維持高能耗等級，並提升（shēng）設計方案（àn）工（gōng）作人員優化軟件輸出功率的協（xié）調能力。
上述所講解的（de）就是
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