CoolMOS的使用是一個趨勢，因為平麵MOS已經不能滿足電源的效率溫度等需求。

CoolMOS的（de）應用（yòng）優勢

1.導通阻抗小，導通損耗小

由於SJ-MOS 的Rdson 遠遠低於VDMOS，在係統電源類產（chǎn）品中（zhōng）SJ-MOS 的導通損耗必然較之VDMOS要減少（shǎo）的多（duō）。

其大大提高了係（xì）統（tǒng）產品上麵的單體MOSFET 的導通損耗，提高了係統產品的效率，SJ-MOS的這個（gè）優點在大（dà）功率、大電流類的電源產品產品上，優勢表現的尤為突出。

2.同等功（gōng）率規（guī）格下封裝小，有利於功率密度（dù）的提（tí）高

首先，同等電流以及（jí）電壓（yā）規格條件下，J-MOS 的晶（jīng）源麵積要小於VDMOS 工藝的晶源麵積，這樣作為MOS 的廠家，對於同一規格的（de）產（chǎn）品，可以封裝出來體積（jī）相對較小的產品，有利於電源係統功（gōng）率密度的提高。

其（qí）次，由於SJ-MOS 的導通損耗（hào）的降低從而降（jiàng）低了（le）電源類產品的損（sǔn）耗，因為這些損耗都是以熱量的（de）形（xíng）式散發出去，我們在實際中往往會增加散（sàn）熱器來降（jiàng）低MOS 單體的溫升，使其保證（zhèng）在合適的溫度範圍內。

由於SJ-MOS 可以（yǐ）有效的（de）減少發熱量，減小了散熱器的體積，對於一些功率稍（shāo）低的電源，甚至使用SJ-MOS 後可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了係統電源（yuán）類產品的功率密（mì）度。

3.柵電荷小，對電路的（de）驅（qū）動能力要求降低

傳統VDMOS 的柵電荷相對較（jiào）大（dà），我們在實際應用中經常（cháng）會遇（yù）到由於IC 的驅動能力不足造成的溫升問題，部分產品在電（diàn）路設計中為了增加IC 的驅動能力，確保MOSFET 的（de）快速導通，

我們不得不增加推挽或其它類型的驅動（dòng）電路，從而增加了電路的（de）複雜性。SJ-MOS 的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅動能力的要求，提（tí）高了（le）係統產品的可靠性。

4.節電容小（xiǎo），開關速度加快，開關損耗小

由於（yú）SJ-MOS 結構（gòu）的（de）改變，其輸出的（de）節電容也有較（jiào）大的（de）降（jiàng）低，從而降低了其導通及關斷過（guò）程中的損耗。同時由於SJ-MOS 柵電容（róng）也有了（le）響（xiǎng）應的減小，電容充電時間變短，大大（dà）的提高了SJ-MOS 的開關速度。

對於頻率固（gù）定的電源來說，可以有效的降低其開通及關斷損（sǔn）耗。提高整（zhěng）個電源係統的效率。這一點尤其（qí）在頻率相對較高的電源上（shàng），效果更加明顯。

MOS在發展，損耗（hào）會越來越低。電源方案隻會朝著更高效率和更小體積發展。

Coolmos的宗旨是追求：開關低損耗。在（zài）Coolmos上，是通過P柱，形成更大的PN結，從而降低Rds。Coolmos降低了Rds，所以它的EAS能力較之平（píng）麵管要低，這也對電（diàn）源設計者提出了更高（gāo）的要求。

SEMIHOW利（lì）用多（duō）層外延工藝實現的COOLMOS產品助力（lì）工程師對產（chǎn）品的小型化設計,並解決EMI,EMC測試不好通過的（de）問題。

較其他公司使用的溝槽超級結工藝，這些（xiē）多層外延的MOSFET實現了前所（suǒ）未有的（de）性（xìng）能（néng）改（gǎi）進。諸（zhū）如（rú）智能（néng）手機和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等電磁幹擾（rǎo）（EMI），電磁兼容（EMC）受益於此優勢（shì）。

此外，CoolMOS支（zhī）持針對小體積PD電源，電視適配器、照明、音響和輔助電源的（de）快速開關和高（gāo）功（gōng）率密度設計，目前推出的量產品種包含600V~900V的電壓係列。

為了得到快速響（xiǎng）應，CoolMOS谘詢請電（diàn）話聯（lián）係。