近（jìn）日，德（dé）國（guó）慕尼黑和美國新罕布什爾州哈德遜訊—英飛（fēi）淩科技股（gǔ）份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）與GT Advanced Technologies（GTAT）已經簽（qiān）署碳化矽（SiC）晶棒（bàng）供貨協議，合同預（yù）期五年（nián）。通過這份供貨合同（tóng），英飛淩進一步確保滿足其在該領域不斷增長的需（xū）求（qiú）。碳（tàn）化矽是功率半導（dǎo）體的基（jī）礎材料，可用於打（dǎ）造高效（xiào）、耐用、高性價比的係統（tǒng）。英飛（fēi）淩現已（yǐ）麵向工業應用市場推出業界規模最大（dà）的CoolSiC™產品組合，並且正（zhèng）在迅速擴大麵向消費和汽車應用的產品組合。

我們看到對碳化矽的（de）需求在穩步增長，特（tè）別是（shì）在工業應用方麵（miàn）。不過，很明（míng）顯，汽車（chē）行業正在迅速跟進。憑借我們現在簽訂（dìng）的供應協議，我（wǒ）們保證能（néng）夠以（yǐ）多（duō）樣化的供應商基礎滿足客戶（hù）快速增長的需求。” GTAT的優質碳化矽晶棒將為當前和未來滿足一（yī）流標（biāo）準的有競爭力的碳化矽晶圓提供額（é）外（wài）來源。這為我們雄（xióng）心勃勃的（de）碳化矽增長（zhǎng）計劃提供有力支持，充分利用我們現有的內部技術和薄晶圓製造的核心競爭力。

我們非常高興能與英飛淩簽訂長期供貨協（xié）議，有了GTAT的協力，英飛淩得以用（yòng）自身的薄（báo）晶圓技術加工GTAT的晶棒，實現保證（zhèng）內部（bù）供（gòng）應高質量SiC晶圓。碳化矽使（shǐ）用（yòng）率的增長很大程（chéng）度（dù）上取決於襯（chèn）底成本的大幅降低，而這（zhè）一協議是實現這一目標的重要一步（bù）。