mos管一般就是pmos，靠空穴流動運送（sòng）電流（liú）的mos管。那要如何選擇一個合適的mos管呢？
一、選擇n溝道還是p溝（gōu）道。在典（diǎn）型的功率應用中，mos管接地，負荷連接到幹線電壓時，該mos管（guǎn）管構成低壓（yā）側（cè）開關。在低壓側開（kāi）關中，應采用n溝道mos管，這是關閉或導通部件所需的電壓。mos管連接（jiē）到總線（xiàn）和負荷接（jiē）地時，請使用高壓側開關。通常（cháng）在這個（gè）中采用（yòng）p溝道的mos管，也是為了考（kǎo）慮電壓驅動。選擇適合應用的設備，必須（xū）確定驅動設備所（suǒ）需（xū）的電壓和設計中比較簡單的執行方法。
二、確定額定（dìng）電流。根據電路結構，這個額定電流應該是所有情況下都能承受的較大電流。與電壓狀況類似，設計人員務必確（què）保選用的mos管能夠承種額定電流，即使係統產生尖峰電流（liú）。兩個考慮的電流狀況是連續模式和（hé）脈衝高峰（fēng）。在連續導向模式下，mos管穩定，此時電流連續通過設備。脈衝尖峰是指大量電湧(或尖峰電流)流過設備。隻要確定了這（zhè）些條件下的較大電流（liú），就可以直接選擇能夠承受這個較大電流（liú）的設備。
三（sān）、計算導通損失。實際上，mos管不是理想的設備。因為在導電過程中會產生電（diàn）力損失，所以被（bèi）稱為導（dǎo）電損失。
mos管在“導通”時像可變電阻，由設備的RDS(ON)決定，隨著溫度而（ér）顯著變化。設備的功力消耗可以用Iload2×RDS(ON)計算，由於導（dǎo）通電阻隨溫度的變化，電力消耗也會按（àn）比例變化。對mos管施（shī）加（jiā）的電壓VGS越高，RDS(ON)越小（xiǎo），RDS(ON)越高。對於係統設計者來說，這是根據係統的電壓需要折中權衡的地方。在便攜式設計中，采用較低的電壓更容易(更常見)，而對於（yú）工業設計（jì），可以使用（yòng）較高的電壓。請注意RDS(ON)電阻隨電流稍微（wēi）上（shàng）升。RDS(ON)電阻的各種電參數變化可以在製造（zào）商提供的技術資料表中找到（dào）。
四、確定熱要求。設計（jì）人員必須考慮兩種（zhǒng）不同的情況（kuàng），建議采用很不好的情況計算（suàn）結果。因（yīn）為這個（gè）結（jié）果提供了更大的安全餘量，所以係統不會失效。
mos管的資料表上有需（xū）要注意的測量數據，例如包裝部（bù）件的半導體（tǐ）結（jié）和環境之間的熱阻和（hé）較大結溫。
設備（bèi）的結溫等於環境溫度極限和熱阻和功率消耗的乘積(結溫=較大環境溫度+[熱阻×功率消耗])。根據該方程可以解決係（xì）統（tǒng）的較大功率消耗，即根據定義相當於（yú）I2×RDS(ON)。設計者（zhě）決定通過設備的較大電流，因此可以計算不同溫度的RDS(ON)。值得注意的是，在處理簡單的熱模型時，設計者還必須考慮半導體結/設備外殼（ké）和外（wài）殼/環境的熱容量，即印刷電路板和（hé）封裝不（bú）會立即升溫。
五、決（jué）定開關的（de）性能。影響開關性能的參數有很多，但重（chóng）要的是柵極（jí）/漏極、柵極（jí）/源和（hé）漏（lòu）極/源極（jí）電（diàn）容器。這些電容器在設備中產生（shēng）開關損失（shī）。因為（wéi）每次開關都要充電。mos管的開關速（sù）度下降，設（shè）備（bèi）效率也（yě）下降。為了（le）計算開關中設備的總損失，設計者必須計算開（kāi）關中的損失(Eon)和關閉中的損失(Eoff)。MOSFET開關的總（zǒng）功率如下:Psw=(Eon+Eoff)×開關頻率。柵極（jí）電荷(Qgd)對（duì）開關（guān）性能的影響非常大。
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