MOS管，是MOSFET的縮寫（xiě）。MOSFET金屬-氧化物半（bàn）導體場效應晶體管，簡稱金氧半（bàn）場效晶（jīng）體管（guǎn）（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

1.根據控製方式選擇使用Pmos或Nmos.

2.在選（xuǎn）型時我們最先看的是VDSS最大漏-源（yuán）電壓 能夠承受的（de）最高的 施加電壓 這個（gè）電壓也（yě）決定了每次在電路裏麵（miàn）選擇它施加的電壓等級，也就是我（wǒ）們常說的VDSS等級 。從成本角（jiǎo）度（dù）考慮，還（hái）需要確定所需的額定電壓，即器件所（suǒ）能承受的最大電壓。根據實踐經驗，額定（dìng）電壓應當大於幹（gàn）線電壓或總線電（diàn）壓，一般（bān）會留出1.2~1.5倍的電（diàn）壓餘量（liàng），這樣才（cái）能（néng）提供足夠的保護，使MOS管不會（huì）失效。就選擇（zé）MOS管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。由於MOS管所能承（chéng）受的最大（dà）電壓會隨溫度（dù）變（biàn）化而變化，設計人員必須在整個工作溫度範圍內測試電壓的（de）變（biàn）化範（fàn）圍。額定電壓必須（xū）有足夠的餘量覆蓋這個變（biàn）化範圍，確保電路不會失效。此外，設（shè）計工程（chéng）師還需（xū）要考（kǎo）慮其（qí）他安全因素：如由開關電（diàn）子設備(常見有電機或變壓器)誘發的（de）電壓瞬變。另外（wài），不同應用的額定電壓也有所不同；通常（cháng）便攜式設備選用20V的MOS管，FPGA電源為（wéi）20～30V的MOS管，85～220V AC因為整（zhěng）流後是310V,再加上反向電壓（yā），MOS管VDS應（yīng）選為450～700V。

如下圖（tú）：

2.連續漏（lòu）電流 這個（gè）電流定義在一個額定的結溫 下 它連續（xù）能夠通（tōng）過的最（zuì）大 直流電流 這兩個參（cān）數就（jiù）決定了 MOS管的應用場合 所以現在的MOS管（guǎn）的話 我們參數基本上看 連續的漏電流 以及最大（dà）的漏源電壓。

3.mos的結（jié）電容。這個直接決定你芯片的輸出（chū）損耗（hào），如果輸入過大（dà），芯片可能會發熱（rè）嚴重。