第一電路設計。讓
mos管（guǎn）工作在線（xiàn）性工作狀態，而不是開關狀態。如果用N-mos做開關，G電平電壓要比電源高幾V才能完全導通（tōng），P-mos則相反（fǎn）。不完全打（dǎ）開導致壓（yā）降（jiàng）過大（dà）導致（zhì）功耗，等效DC阻抗比較大，壓降增（zēng）大，所以U*I也增大（dà），損耗就是發熱。
第二，工作頻率。這是調試過程（chéng）中常見的（de）現象，降頻主要是兩個方麵造成的。輸入電壓與負載電壓之比小，係統幹擾大。對於前者，請注（zhù）意不要（yào）將負載電壓設置得太高，盡管負載電壓高時（shí）效率會更高。對於後者（zhě），可以嚐試以下幾個方麵:
1.將最小電流設置為較小的（de）值。
2.清潔布線，尤其是關鍵的傳感路徑。
3.選擇電感的小（xiǎo）點或閉合磁路的電感。
4.加RC低通濾波器，這個效果有點差，C的一致性也不好，偏差有點大，不過應該夠（gòu）照明了。無論如何，降（jiàng）頻沒有（yǒu）好處，隻有壞處，所以必須解決。
有時候mos管的頻（pín）率太高，主要是對體積的過（guò）分追求，導致頻率增（zēng）加，mos管上的損耗增加，所以發熱也增加。
第三，散熱（rè）設計（jì）。電路板散熱設計不好，電流過大。mos管的標稱電流值一般需要散熱好。因此，如果ID小（xiǎo）於額定電（diàn）流（liú），則熱量可能嚴重，需要足（zú）夠的輔（fǔ）助散熱器。
那麽今天的講解就先到這裏了，以上就是今天（tiān）的全部內容，相信大家對mos管發熱（rè）異（yì）常的原因也有了一定的認（rèn）識。非常感（gǎn）謝您的耐心閱讀（dú）。如（rú）還想了解更多（duō）關（guān）於
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