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上海功(gōng)成半導體代理(lǐ)的超結MOS介紹(shào)-草莓视频官网電子

上(shàng)海功成半導體的超結MOS介紹

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超結MOS概述(shù)

超結MOSFET(superjunction MOSFET)是一種重要的功率半導體器件,為(wéi)克服傳統平(píng)麵MOSFET的局限性(xìng)而出現(xiàn)。傳統平麵(miàn)MOSFET在高電壓應(yīng)用中,高電壓需要更厚的漂移區來承受,但會導致更高的導通電阻,增加功率損耗。而超結MOSFET利用創新結構設(shè)計,顯著降低了導通電阻,同時(shí)維持了高擊穿電壓。

上海功成半導體超結MOS特點

上海功成半導體(Coolsemi)的高(gāo)壓超結MOSFET通過先進的超結技術和優化結構設計,實現極低的特征導通電阻(Rdson*A),有效提高電源的功率密度和效率。

超結MOS結構設計

垂直結構設(shè)計

與傳(chuán)統的平麵MOSFET不同,超結MOSFET采用垂直結構,電流在(zài)器件中垂直流動。這種設(shè)計能有效利用芯片的厚度來優化電(diàn)流的流動路徑,從而(ér)降低導通電阻。

交替P型和N型區域

這些交替的區域(yù)在器件導通時形成了一個高效的電流通道,而在關斷(duàn)時則能夠分擔電場(chǎng),使得器件(jiàn)能夠(gòu)承受更高的電壓。

超(chāo)結(jié)MOS優勢

更低的導通電阻(R)

超結MOSFET的結構設計顯著降低了導通電阻。這意味著(zhe)在相同電壓等級(jí)下,超結MOSFET能夠提供更(gèng)高的效率,減少功率損耗。上海功成半導體的超結MOSFET也具備此優勢,可有(yǒu)效提高電源效率。

更高的擊穿電壓(BV)

得(dé)益於其獨特的結構,超結MOSFET在不增加芯片尺寸的情況下,能夠實現更高的擊穿電壓,在高壓應(yīng)用中表現出色。

更好(hǎo)的(de)熱性能

低導通電阻意味著更少的熱量產(chǎn)生,對於需要長時間高(gāo)效運行的應用是一個重要的優勢。

超結(jié)MOS應用領域

超結MOSFET在多個領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,上海功成半導體的超結MOS產品已(yǐ)應用於多個細分市場,具體如下:

應用領域應用場景
開關電源超(chāo)結MOSFET的(de)低導通電阻和高擊穿電壓使其非常(cháng)適合用於(yú)開關電(diàn)源中,能(néng)夠提高轉換(huàn)效率,減(jiǎn)少能量(liàng)損失2。
電動汽車(EV)被廣泛(fàn)應用於電機驅動和電池管理係統中,其高效(xiào)能和優異(yì)的熱性能能夠提升整車的性(xìng)能和可靠性(xìng)2。
光伏逆變器光伏(fú)逆變器需要處理高電壓和大(dà)電(diàn)流,超結MOSFET的性能優(yōu)勢(shì)使其成為這些係統中的理想(xiǎng)選擇(zé),能夠提高能量轉換效率(lǜ),減少熱(rè)量損耗2。
工業自動化在工業自動(dòng)化領域,超(chāo)結MOSFET被(bèi)用於各種電機驅動和電源管理應用中2。
其他上海功成半導體聚焦新能(néng)源、數據中心、汽(qì)車電子、智(zhì)能家電以及高端消費電子領(lǐng)域,其超結(jié)MOS產品還應用於直流充電樁、通信電源、服務器電源、便攜式儲能、戶用儲能、車載PTC等細分市場1。

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