肖特基二極管（Schottky Diode），也稱肖特基勢壘二極管，其內部結構相對獨特，主要由以（yǐ）下部分組成：

一、主要構成部分

1. • 肖特基（jī）二極（jí）管的內（nèi）部結構示意圖通常展示為一個五層器件，從下到上依次為：

   • N+陰（yīn）極層：這是肖特基二極管的（de）最底層，與陰（yīn）極金屬相連，用於減小陰極的接觸電阻。

   • N型基片：位於N+陰極（jí）層之上，具（jù）有較小的通（tōng）態電阻，是肖特基二極管中電子傳輸的主要（yào）通道。

   • N-外延層：這是（shì）N型基片（piàn）之上（shàng）的一層，摻（chān）雜濃度較低，通常使用砷等雜質進行摻雜。

   • 肖特（tè）基勢（shì）壘層：這是由金屬與N-外延層緊密接觸後形（xíng）成的特殊區域。當金屬與N型半導體接（jiē）觸時，由於兩者的功函數不同，會在（zài）接觸界麵處形成電子勢（shì）壘（lěi），即肖特基勢壘（lěi）。這個勢壘阻礙了（le）電子從半導體（tǐ）向金（jīn）屬的流（liú）動，同時也（yě）限製了反向電流的大小。

   • 陽極金屬：這是肖特基二極管的頂層，通常由金、銀、鋁、鉬（mù）等（děng）貴金屬製成。陽極金屬與N-外延層之間通過肖特基勢壘相連，形成二極管的整流結構。

二、肖（xiāo）特基勢壘

通過調整結構參數，在N型基片和（hé）陽極金（jīn）屬之間形成肖特基勢壘。這是肖特基（jī）二極管工作的關鍵部分。

三、工作原理

1. 正向偏壓：當在肖特基勢壘兩（liǎng）端加上正（zhèng）向偏壓（陽極金屬接電源正極（jí），N型（xíng）基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小（xiǎo），二極管處於（yú）導通狀（zhuàng）態。

2. 反向偏壓：當（dāng）在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓（yā）時，肖特基勢壘層變寬（kuān），其內阻變大，二極管處於截（jié）止狀態（tài）。

四、工藝結構

肖特基二極管主要有兩（liǎng）種（zhǒng）工（gōng）藝結（jié）構：

1. 點接觸結構：用一根尖端細金屬絲與（yǔ）半導體（tǐ）接觸製成，通過機械（xiè）接觸或用放電工藝得到一（yī）個很小的合金結。

2. 平麵接觸結構：具有更大的接觸（chù）麵積，通（tōng）常用於需要更高電流容量（liàng）的應用。

五、特點與應用

肖特基二極管具有正向（xiàng）導通壓降小（約0.45V）、反向恢（huī）複時間短（duǎn）、開關損（sǔn）耗小等特點，是一種低（dī）功耗、超高速（sù）半導（dǎo）體器件（jiàn）。然而，其反（fǎn）向耐壓值較低，反向漏電流較大，因此適用於低壓、大電流、高頻整流等場合（hé）。