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超(chāo)結MOSFET的工作頻率介(jiè)紹

超結(jié)(Superjunction)MOSFET 的工作頻(pín)率(lǜ)範圍通常取決於具(jù)體的設計目標和應用需求,主要受限於器件的開關損耗和(hé)電路拓撲。以下是一些關鍵的因素和頻率範圍參考:


1. 工作頻率範圍


低頻段(幾十千(qiān)赫茲):通常用於簡單的工業控製或某些低功率的電源。

中頻段(100 kHz - 500 kHz):這是大(dà)多數開關電源(如PFC、電池充電器(qì))中常見的頻率範圍。

高頻段(500 kHz - 數 MHz):在高效電源設計或功(gōng)率密度要求較(jiào)高的情(qíng)況下(例如適配器、小型逆變器),超結MOSFET可以工作在較高頻率。


2. 限製工作頻率的因素


導(dǎo)通電阻(R(_{text{DS(on)})):超結MOSFET的R(_{text{DS(on)})較低,但其對導通損耗的影響在高頻(pín)中(zhōng)仍需考慮。

寄生電容(C({text{oss)}), C({text{gs)})):較大的寄生電容會導致(zhì)較高的開關(guān)損耗,限製了實際工作(zuò)頻率。

柵極驅動電路:驅動速度和能量是否匹配目標頻率也會限製上限。


3. 應用(yòng)實例


用於功率因數校(xiào)正(PFC)和光(guāng)伏逆變器時,工作(zuò)頻率(lǜ)通常在 65 kHz - 150 kHz。

用於DC-DC變換器開關電源時,可(kě)能工作在 100 kHz - 500 kHz。

高頻拓撲(如LLC諧(xié)振變(biàn)換(huàn)器)中(zhōng),可(kě)能會超過 1 MHz。


總之,超結MOSFET的具體工(gōng)作頻率需結合應用場(chǎng)景、電路設(shè)計要求和效率優化進行選擇。


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