超結MOS在高（gāo）頻應用中，由於其高速開關特性（xìng），容易產生較大（dà）的電磁幹（gàn）擾（EMI）。為解決超結MOSFET的EMI問題，可以（yǐ）從以下幾個方麵進行（háng）優化：

1. 控製開關速度

• 降低開（kāi）關速度（dù）：減（jiǎn）少開（kāi）關上升和下降（jiàng）速度能有效降低（dī）EMI。可以（yǐ）在柵（shān）極和（hé）源極之間加入柵（shān）極電阻，通過（guò）調整電阻值減緩開關速度，從而減少高頻噪聲。

• 軟開關技術：采（cǎi）用軟開關技術（如ZVS、ZCS）可使（shǐ）開關器件在電流或電壓接近零的情（qíng）況下進行（háng）開（kāi）通（tōng）和關斷，大大降低（dī）EMI。

可直接更換器件，采用Semihow超結MOSFET改善EMI

優勢（shì）1：多層外（wài）延結構減少寄生電（diàn）容（róng）

多層外延工藝通過在外延層中多次掩刻和摻雜，形成了複雜的n型和p型交替區域。這種結構不僅降低了特征電阻，還顯著減少（shǎo）了寄生電容。寄生電容是EMI的主要來源之一，因為（wéi）它會在開關（guān）過程中產生高頻噪聲。超結MOSFET較小的寄生電容能有效（xiào）降低開關損耗，提高開關速度，同時減少EMI的產生。

優勢2：優（yōu）化的開關特性

超結MOSFET由於具有較低的柵電容（róng）和較快（kuài）的開關速度，在（zài）開關過程中產生的dV/dt和dI/dt較（jiào）小，這有助於減少通過器件和印刷電路板中的（de）寄生電容電感產（chǎn）生的高頻噪（zào）聲。此外，Semihow通過精確控製製造工（gōng）藝，確保了產品的開關特性一致性和穩定性，進一（yī）步減少了EMI的產生。

2. 優化PCB布（bù）局

• 減小回路（lù）麵（miàn）積：高頻（pín）電流路徑應盡可能短並減少回（huí）路麵積，以減（jiǎn）少電磁輻射。布線時，將高頻開關路徑盡量靠近（jìn）接地（dì）麵，縮小耦合麵（miàn）積。

• 增（zēng）加去耦電容（róng）：在電源輸入端（duān）和MOSFET附近添加去耦電容（如陶瓷電容）以減少高頻（pín）尖（jiān）峰和振蕩的傳導幹擾。

• 隔離敏感信號：確保功率級和控製級（jí）之（zhī）間有足夠的空間隔離，避免電磁幹擾信號耦（ǒu）合到控製信號上。

3. 使用合適的驅（qū）動（dòng）電路

• 柵極驅動電阻：選（xuǎn）用合適的柵極電阻值（通常為10~100Ω），以平衡開關速（sù）度和EMI之間的關係。過低的（de）電阻會增加EMI，過（guò）高的電阻則影響開關速度和效率。

• 柵極驅動電壓：控製驅（qū）動電壓避免過高，因為過高的驅動電（diàn）壓會使開關速度加快，產生更大的EMI。通常建議驅動電壓在MOSFET的額定範（fàn）圍內，且不要（yào）超出設計要求。

4. 加入EMI濾波（bō）器（qì）

• 共模（mó）濾波器：在輸入和輸出端增加共模濾波器（如共模（mó）扼（è）流圈、共模電感（gǎn）），可以（yǐ）抑製共模噪聲。

• 差模濾波（bō）器：在MOSFET的電源和（hé）負（fù）載路徑上增加差模濾波器（如（rú）電解電容（róng）或陶瓷電容）可以有效降（jiàng）低差模噪聲。

• 鐵氧體磁珠：在高頻（pín）噪聲源附近的電源線上增加鐵氧體磁珠，可以有效抑製高頻噪（zào）聲傳播。

5. 增加散熱和屏蔽

• 屏蔽罩：為MOSFET及其附近的電路加裝屏蔽罩，以阻擋（dǎng）電磁幹（gàn）擾的輻射傳播。

• 熱管理：超結MOSFET在高速開關時會產生大量熱（rè）量。良好的散熱設計可以保持器件在穩定的溫度下工作，從而（ér）減少溫度對開關性能的影響（xiǎng），間接降低EMI問題。

6. 使用抗幹擾材料和優化封裝

• 使用吸波材料：在高頻電磁幹擾源（yuán）附近放置吸波材料，可吸收一部（bù）分電磁波，減（jiǎn）少幹擾。

• 選擇合適封裝的MOSFET：不同封裝類型的MOSFET在EMI特性上（shàng）有差異。優（yōu）先選（xuǎn）擇（zé）具備低寄生參數（如低寄生電容、寄（jì）生電感）的封裝，可以有效減少幹擾。

7. 仿真與測試驗證

• EMI仿真：在設計階段進行電磁兼容性仿（fǎng）真（如時域和頻域的電磁（cí）幹擾分析），提前評估EMI特性並優化（huà）。

• 實測優化：在測試階段，通過EMI測試儀和示波器測量實際的EMI指標，找出主要（yào）的（de）噪聲源，並進（jìn）行（háng）相（xiàng）應優化。

通過以（yǐ）上方法可以有效解決超結MOSFET的EMI問題，從（cóng）而提升電路的電磁兼容性和係統的（de）整體性能。