IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種混（hún）合了MOSFET和BJT（雙極性晶體（tǐ）管）優點（diǎn）的半（bàn）導體器件，廣（guǎng）泛用於高效能電力電子轉換中，如逆變器、開關（guān）電源和電動機控製（zhì）係（xì）統。它結合了MOSFET的高輸入阻抗和（hé）BJT的低導（dǎo）通壓（yā）降特性。

IGBT工作（zuò）原理可以分為兩個主要部分（fèn）：導通狀態（tài）和關斷狀態（tài）。

1. 導（dǎo）通狀態

IGBT的結構包括一個MOSFET的柵極（Gate）和一個BJT的集電極（Collector）-發射極（Emitter）。其導通過程類似於MOSFET的工作原（yuán）理，當給柵極施加足（zú）夠（gòu）的正（zhèng）向電（diàn）壓時，柵極和發射極之間的電場作用會讓（ràng）MOSFET部分導通，進而（ér）驅動雙（shuāng）極型晶體管（BJT）的基極，使得BJT導通，電流從集電極流（liú）向發（fā）射極。這時IGBT處（chù）於導通（tōng）狀（zhuàng）態，可以傳導較大的電流。

導通時（shí），IGBT的柵（shān）極幾乎不消耗電流（類似於MOSFET），但（dàn）集電極（jí）到發射極的電（diàn）流則（zé）由（yóu）BJT的特性主導，因（yīn）此在導通時電壓降較低，導通（tōng）損耗較小。

2. 關斷狀態

當柵極（jí）電壓變為負值或零時，MOSFET部分首先（xiān）關斷，從而中斷雙極型晶體管的基極電流。沒有基極電流的支持，BJT會迅速關斷，使得IGBT整體進入關斷狀態，集（jí）電（diàn）極到發射極的電流停止流動。

由於IGBT的雙極特性，在關斷（duàn）過（guò）程中（zhōng）會有一定的存儲電荷效應，這會導致關斷時的延遲（chí），但現代IGBT已經通過優化設計減小了這個問題。

IGBT的主要特點（diǎn）：

1. 高輸入阻抗：IGBT的柵極類似於MOSFET，輸入阻抗很高，因此隻需很小的柵（shān）極（jí）電流便可驅動，易於控（kòng）製。

2. 低（dī）導通損（sǔn）耗（hào）：由於IGBT在導通（tōng）時表（biǎo）現為（wéi）BJT的工作特性，其導通損耗較低，特別適用（yòng）於大電流應用。

3. 適用於高電壓和大電流場（chǎng）合：IGBT常用於電力電（diàn）子設備（bèi）中，適合中高壓、大電流的應用（yòng）環境。

總結來說，IGBT通過將MOSFET和（hé）BJT的優點結合在一起，在高效能電力電子應用中實現（xiàn）了高電流開關和低損耗操作。