龍騰（téng）半導體LSG65R650GMB TO-252功率MOSFET產品介（jiè）紹
產品概述

LSG65R650GMB是龍騰半導體(LONTEN)推出的一款N溝道功率MOSFET，采用先進的超結(Super Junction)技術製造，封裝形式為TO-252(DPAK)。該產品屬於龍（lóng）騰半導體650V高壓MOSFET係列，專為高效率電源轉換應用而（ér）設計，特別適（shì）合空間受（shòu）限（xiàn）的中小功率場景。

技術（shù）參數
參數名稱 參數值 備注
漏源電壓(Vdss) 650V 最大額定值
連續漏極電流(Id) 7A 25°C環（huán）境溫度下
柵源極閾值電壓 4.5V @ 250uA 典型值
漏源導（dǎo）通電阻(RDS(on)) 650mΩ @10V,3.5A
最大（dà）功率耗散 28W Ta=25°C時
封裝形式 TO-252(DPAK) 表麵貼裝型
技術類型 超結VDMOS Super Junction技術

注：以上參數基於類似型號LSG65R650HT的技術規格整理，建議聯係龍騰半導體獲取LSG65R650GMB的精確參（cān）數。

TO-252封裝特點（diǎn）

結構設計‌

表麵貼裝型功率封裝，尺寸比直插式封裝小
背麵有較大散熱焊盤，可直接焊接在PCB上
散熱銅箔麵積達25mm²，配合1.6mm厚FR4基板可實現8℃/W熱阻

散熱性能‌

通過PCB進行散熱，需設計大麵積覆銅（tóng）和散熱（rè）過孔
在器（qì）件3mm範圍內（nèi）建議（yì）布置（zhì）溫（wēn）度傳感器
工作環境溫度超過70℃時建議添加微型散熱鰭片

與TO-220F對比‌

體積更小，適合高（gāo）密度布局和空間受限場景（jǐng）
散熱性能略低於TO-220F，但更節省空（kōng）間
適用（yòng）於高壓在7N以下，中（zhōng）壓在70A以下環境中
產品特點

高效（xiào）率設計‌

采用超（chāo）結(Super Junction)技（jì）術，顯著降低導通電阻
相比傳統平麵MOSFET，導通損耗降低約22.3%
優（yōu）化的柵極電荷特性，減少開關損耗

高可靠性‌

100%通過UIS(Unclamped Inductive Switching)測試（shì）
符合RoHS環保規（guī）範，無鉛無鹵素（sù）
優化的熱設計，提高高溫（wēn）工作穩定性

應用友好（hǎo）性‌

標準TO-252封裝，便於自動化生產
與行業主流（liú）MOSFET引腳兼容
簡化電路設計，降低係統成本
應用（yòng）領域

LSG65R650GMB適用於多種高效率電源轉（zhuǎn）換（huàn）場景：

應用類別 典型應用
消費電子 LED驅動電源、適（shì）配器、PD快充
計算機（jī） 服（fú）務器電源、PC電源
工業電子 開關電源、工業電源
新能（néng）源 光伏逆變器輔助電源

特（tè）別適用於（yú）需要高（gāo）效（xiào）率、高功率密度且空間受限的電源設（shè）計場景。

使用建議

電路設計注意（yì）事項‌

建議工作電壓不超（chāo）過520V，留足設計餘量
柵極驅（qū）動電（diàn）阻推薦值10-22Ω，平衡（héng）開關速度與EMI
確保PCB散熱設計良好，建議使用2oz銅厚

焊接工藝‌

回流焊峰值溫（wēn）度需控製在260℃以內(10秒持（chí）續時間)
手工補焊時應避免烙鐵直接接觸散熱焊盤（pán）
維（wéi）修（xiū）時（shí）需要專用熱風拆焊設備

可靠性保障‌

避免超過最大額定參數（shù）使用
注意PCB布局，減少（shǎo）寄生參數影響
建議進行老化測試驗證長期可靠性
製造商背景

龍騰半導體有（yǒu）限公司是一家專注（zhù）於新（xīn）型功率半導體器件研（yán）發的高新技術企業，通過ISO9001-2015質量體係認證（zhèng）。公司（sī）在功率半導（dǎo）體領域（yù）擁有83項專利，並參與製定了超結（jié）功（gōng）率MOSFET國家行業標準(SJ/T 9014.8.2-2018)。

公司產品線涵蓋超結MOSFET、IGBT、快恢複二極（jí）管等多個係列，廣泛應用於消費電子、工業電源（yuán）、新能源汽車等（děng）領域。龍騰半導體建有國內一流的研發中心和應用測試實驗室，持續推動功率半導體技術創新。