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揚傑IGBT單管產品係列

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產品詳情

揚傑IGBT單管
Product Name	Package	VCES _Min(V)	IC @ TC=80℃(A)	VCE(sat) _Typ(V)	Eon+Eoff typ. Tj=125℃ （mJ）	Rth(j-c) _Max((℃/W)
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揚（yáng）傑IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導體器件，它結合了雙極型（BJT）和場效應（yīng）晶體管（FET）的特性。

IGBT單管在現代電力（lì）電子和功率電子領域中被廣（guǎng）泛應用，因為它具有高效率、高速度和高功率密度等優點。

IGBT單管的核心（xīn）是一個PNP結構的雙極型晶體管，其控製端有一個與之隔絕的柵極。這個柵極（jí）可以通過施加電壓來（lái）控製（zhì）電流的流動，

從而實現對（duì）器件的（de）開關（guān）控製。因為柵極與電流隔離，所以它具有場效應晶體管的高（gāo）輸（shū）入阻抗特性，同時也具（jù）有雙極型（xíng）晶體管的高電流驅動能力。

IGBT單管的主要優點包括：

高效率：IGBT單管的導通壓降較低，因此能夠減少功率損耗，提高係統的效率。
高速度：由於（yú）具有FET的控製特性，IGBT單管的開（kāi）關速度較快，適（shì）用於高頻應（yīng）用。
高功率密度：IGBT單管具有較高的功（gōng）率密度，可以實現在小尺寸器件中傳輸大功率。
可靠性高：相對於其他功率器件，IGBT單管具有較高的（de）可靠性和穩定性，適用於（yú）各（gè）種工作環境。

總（zǒng）的（de）來說，IGBT單管在工業、交通、能源等（děng）領（lǐng）域扮演著重要的角（jiǎo）色，為各種功率電子（zǐ）應用提供了（le）高效、可靠的解決方案。

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推（tuī）薦新（xīn）聞

碳化矽二（èr）極（jí）管的介（jiè）紹 2023-04-23

揚傑IGBT單管
Product Name	Package	VCES _Min(V)	IC @ TC=80℃(A)	VCE(sat) _Typ(V)	Eon+Eoff typ. Tj=125℃ （mJ）	Rth(j-c) _Max((℃/W)
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揚傑IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導體器件，它結合了雙極型（BJT）和場效應（yīng）晶體管（FET）的特性。

IGBT單管（guǎn）在現代電力電子和功率電子領域中（zhōng）被廣（guǎng）泛應（yīng）用，因為它具有高效率（lǜ）、高速度和高（gāo）功率密度等（děng）優點。

IGBT單管的核心是一個PNP結構的（de）雙極型晶體管，其控製（zhì）端有一個與之隔絕的柵極。這個柵極可以通過施加（jiā）電（diàn）壓來控製（zhì）電流的流動，

從而實現對器件的開關控製。因為柵極與電流隔離，所以它（tā）具有場效應晶體管的高輸入阻抗特性，同（tóng）時也具有（yǒu）雙極型晶體管的高電流驅動能力。

IGBT單管的主要優（yōu）點（diǎn）包括：

高效率：IGBT單管的導（dǎo）通壓降較低，因此能夠減少功（gōng）率損耗，提高係統的效率。
高速度：由於具有FET的控（kòng）製（zhì）特性，IGBT單管的開關（guān）速度較快，適用於高頻應用。
高功率（lǜ）密度：IGBT單管具有較高（gāo）的功率（lǜ）密度，可以實現在小尺寸器件中傳輸（shū）大功率。
可靠性高：相對於其他功率器件，IGBT單管具有較高的可靠性和穩定性，適用於各種工作環境。

總的來說，IGBT單管在工業、交（jiāo）通、能源等領域扮演（yǎn）著重要的角色，為各種功率電子應用提供了高效、可靠的解決方案。

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