0769-21665206
137-2836-0298
當前位置:首(shǒu)頁 » 碳化矽器件 » 碳化矽MOSFET

首頁 » 碳化矽器件» 碳(tàn)化矽MOSFET

泰科天潤發布(bù)1200V SiC MOSFET、2000V SiC單(dān)管和650V SiC混合單管新品

泰科天潤發布1200V SiC MOSFET、2000V SiC單管和650V SiC混合單管新品

產(chǎn)品詳情

慕尼黑(hēi)上(shàng)海電子展 (Electronica China)圓滿收官。泰科天潤在此次展會上正式發布1200V 80mΩ SiC MOSFET、2000V係列產品和650V60A混合單管新品(pǐn),吸(xī)引了國內外客戶(hù)及行業人(rén)士的廣泛(fàn)關注(zhù)。


第一款(kuǎn):泰科天潤(rùn)1200V 80mΩ SiC MOSFET

QQ圖片20230816125320.png

具有更低的導通電阻,更低的開關損耗,更高的開關頻率,更(gèng)高的工作溫度(dù),Vth典型值超過3V。應用場景:光伏、OBC、UPS及電機驅動等。


第二款:泰科天潤650V60A混合單管(Si IGBT+SiC diode)

0816125420.png

可(kě)大幅降低IGBT的開關損耗,提高效(xiào)率,降低溫升。


第三款:2000V係列產品

20230816125558.png

適用1500V光伏係統,高效率,更可靠。


關於泰科天(tiān)潤:

泰科天潤半導體科技(北京(jīng))有(yǒu)限公司成立於2011年(nián),是(shì)中國碳化矽(SiC)功率器件產業化的倡導(dǎo)者之一,致力於中國半導體功率器件製造產業的發展,並提供優質的半導體(tǐ)功率器件產品和(hé)專業服務。總(zǒng)部坐落於北京,擁有湖南一條年產6萬片/6英寸SiC半導體晶圓生產線,2023年底擴產至年產(chǎn)10萬片。公司(sī)2023年(nián)年(nián)初北京(jīng)8寸線動工,預計2025年實現(xiàn)年產10萬片/8英寸SiC半導體晶圓。泰科天(tiān)潤產品已(yǐ)經批量應用於PC電源、光(guāng)伏逆變(biàn)器、充電模塊(kuài)、OBC、DC-DC等領域。 質量資質:ISO9001 / IATF16949 / RoHS / REACH/UL / DNV·GL / USCG / AEC-Q101等,產品質量完全可以(yǐ)比肩國際同行業的先進水平。



三款新品(pǐn)免費(fèi)送樣(yàng)

分享到:

推薦新聞

回到頂部 電(diàn)話谘詢 在線地圖 返回首頁