WMJ53N65F2 MOSFET參數詳解

基本信息

WMJ53N65F2是一款由WAYON生產（chǎn）的N溝道超（chāo）級結（Super Junction）MOSFET，具有以下基本參數（shù）：

• 型（xíng）號：WMJ53N65F2

• 製造商：WAYON

• 封裝形式：TO-220F

• 漏極至源極（jí）電壓（VDS）：650V

技術參數

電氣特性

• 導通電（diàn）阻（RDS(on)）：在VGS=10V（最大（dà）值）時，RDS(on)為0.078Ω。

• 漏極電流（ID）：在TA=25℃時，ID為50A。

• 功率損耗（PD）：在TA=25℃時，PD為34W。

• 柵（shān）極電壓（VGS）：典型（xíng）值為3V。

• 開啟（qǐ）閾值電壓（VGS(th)）：典型值為（wéi）3V。

• 市場供應（yīng）信息

• 供應商：東莞市（shì）草莓视频官网電子有限公司

  主營業務：專注於銷售功率（lǜ）半導體元器件，包（bāo）括進口semihow和維安 亞成微（wēi） 龍騰等多種MOSFET產品。

• 維安超結MOSFET
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