100V低內阻MOS 綠星(xīng)DG100N03S
顛覆業界傳統(tǒng)的低壓MOS製程,大幅降(jiàng)低RDS內阻切換損失(shī)。
台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝(gōu)槽創新技術,將內阻值死磕到底,肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃(cuì)。
美(měi)瑞(ruì)電子致(zhì)力於推動品質專線邁入普惠時代,帶入千(qiān)行(háng)百業。
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100V低內阻MOS 綠星DG100N03S
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