120V低內（nèi）阻MOS 綠星DG120N01S
顛覆業界傳統的低壓MOS製程，大幅降低RDS內（nèi）阻切換損失。
台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創新技（jì）術，將（jiāng）內阻值死磕到底，肉眼可見（jiàn）的出類拔（bá）萃。
草莓视频官网電子致力於推動品質專線邁入普惠時代，帶入千行百業。
120V低內阻MOS 綠星DG120N01S
顛覆業界傳統的低（dī）壓MOS製程，大幅（fú）降低RDS內阻（zǔ）切換損（sǔn）失（shī）。
台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽（cáo）創新技術，將內阻值死磕到底，肉眼（yǎn）可見的出（chū）類拔萃。
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