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綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

產品詳情

采用（yòng）第三代（dài）DG-FET製程，DG-FET係列具有高速開關速度，業界優異的Ron-Crss表現。
由於具有（yǒu）緩衝效應，DG-FET係列可以抑製，比SuperTrench係列（liè）更有效地切換噪音和振鈴。
RDS（on）導（dǎo）通電阻比其他同類元件至少降低50%，閘（zhá）電（diàn）荷（Qg）比其他裝置少（shǎo）50%
20V至250V規格，可在各式電源與電機驅動中實現更高效率。11.jpg22.png
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