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30V低壓MOS 綠星(xīng)SG30N04E DFN3*3
顛覆業(yè)界傳統的低壓MOS製程,大幅降低RDS內阻切換(huàn)損失。
台灣綠星低(dī)壓MOS產品融入(rù)DG-FET深(shēn)溝槽創新(xīn)技術,將內(nèi)阻值(zhí)死磕到底,肉眼可見的(de)出類(lèi)拔萃。
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台灣綠星電子創立(lì)於 2002 年5月(yuè),專注於功(gōng)率半導體元件設計與銷售。主要應用領域為:電機驅動控製、電池管理係統(tǒng)、電動工具(jù)、花園工具、大(dà)型儲能裝置、工業(yè)直流馬達控製、高功率密度(dù)電源模組以及各式消費性電子產品。2017年全新世代 DG -FET™ 金屬氧 半場效電晶體正式發表。
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經營產品:碳化矽器件、IGBT單(dān)管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS
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