Semihow HCA60R070F MOSFET 參數詳解

一、基礎參數概（gài）覽

1. 電壓（yā）與（yǔ）電流特性

   • 漏源電壓（VDS）：600V

   • 漏極電流（ID）：42A（@25℃）

   • 導通電阻（RDS(on)）：70mΩ

   • 柵源電壓範圍（VGS）：2.5V（最小值）至5V（最（zuì）大值）

   • 最大功耗（PD）：272W（@25℃）

2. 封（fēng）裝（zhuāng）形式

   • 封裝類型：TO-247

二、核心技術（shù）與結構特點

1. 超結（Super Junction）技術

   • HCA60R070F 采用 超結（SJ）結構，相比傳統平麵MOSFET，在高壓場景下顯著降低導通電阻（RDS(on)）和（hé）開關損耗，提升係統效率 。

   • 適用場景：高效率（lǜ）電源轉換（如開關電源、充電器）、電機驅動等高壓高頻（pín）應用 。

2. 晶圓與製造（zào）工（gōng）藝

   • 晶圓由 三星（xīng）代工（gōng）生產，結合Semihow的功（gōng）率半導體（tǐ）設計技術，優化了器件性能和可靠性 。

三、關鍵（jiàn）性能優勢

1. 低導通損耗

   • 70mΩ的低RDS(on)值在高壓應用中減少導通損耗，尤其適合高功（gōng）率密度（dù）的緊湊型設計 。

2. 溫（wēn）升控（kòng）製

   • 優異的散熱性能使其在35-65W小體積PD充（chōng）電器中（zhōng）表現突出，溫升控製優於同類平麵（miàn）MOSFET 。

3. 快速反向恢複（Fast TRR）

   • 搜索結果中提（tí）及 快（kuài）速反向恢複特性（Fast TRR），可降低開關過程中的能量損耗，提升係統整（zhěng）體效率 。

四、典型應用場（chǎng）景

1. 電源係統（tǒng）

   • 開關電源（yuán）（SMPS）、高效率多形態電源（如PD快（kuài）充適（shì）配器） 。

2. 電機驅（qū）動

   • 工（gōng）業電機控製、電動車驅動模塊 。

3. 其（qí）他領域（yù）

   • 汽（qì）車（chē）電（diàn）子（如LED照（zhào）明係統）、消費類（lèi）電子設備（bèi）的高壓電（diàn）源管理 。

五、廠商與供應鏈（liàn）信息

• 製造商：Semihow（韓國功率半導體公司，成立於2002年） 。

• 代理商：東莞市草莓视频官网電子有限公司

六、注意事項

• 柵極驅動要求：需確（què）保VGS在2.5-5V範圍內，避免過壓損壞 。

• 散熱設計：TO-247封裝（zhuāng）需配合適當散（sàn）熱方案以發揮最大功（gōng）耗能力 。